三星宣布 UFS 4.0 存储,具有高达 2800MB/秒的写入速度和 4200MB/秒的读取速度

三星半导体宣布了其最新的 UFS 存储技术。UFS 4.0 使用三星的第 7 代 V-NAND 内存和专有控制器,可提供一些疯狂的读取和写入速度以及大功率节省。


三星的 UFS 存储主要用于智能手机,但在其他市场也有很大的潜力。它们分别拥有高达 4,200MB/秒和 2,800MB/秒的读取和写入速度,显然能够满足当今高分辨率相机的需求。


据三星半导体称,UFS 4.0的速度是2020 年 4 月宣布的 UFS 3.1的两倍,每通道高达 23.2Gbps。他们说这使它“非常适合 5G 智能手机需要大量数据处理。三星还希望它在未来被应用于汽车应用以及增强现实和虚拟现实系统。

第 7 代 V-NAND 技术和三星的专有控制器可实现高达 2,800MB/秒的顺序写入速度 - 大约是当前 CFexpress B 型卡的两倍 - 以及高达 4,200MB/秒的读取速度。


三星还表示,UFS 4.0 的电源效率也得到了改进,与 UFS 3.0 相比,性能提升了 46%,从而延长了便携式设备的电池寿命。他们说它每毫安可以传输大约 6MB/秒,这意味着在 2,800MB/秒的全写入速度容量下,它消耗的电流不到半安培。


预计将于 2022 年第三季度开始量产,但我们何时真正在设备中看到它是未知的,但我预计它们可能会在年底前开始出现 .



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